解释:MREQ(上划线)低电平有效,低电平访问存储器,高电平访问IO
片选信号不能忘了MREQ信号
三、随机存取存储器(RAM)(内存)
3.动态RAM和静态RAM的比较
存储原理
集成度
芯片引脚
功耗
价格
速度
刷新
单管动态RAM4116(16K*1位)外特性
基本原理
动态RAM刷新
集中式刷新
分散刷新
异步刷新(结合)
四.只读存储器ROM
MROM(掩模)
PROM(一次性编程)
EPROM(多次编程)
EEPROM(多次性编程)
电可擦写
局部擦写
全部擦写
Flash Memory(闪速型存储器)
五.CPU和存储器的连接
1.存储器容量的扩展
位扩展
字扩展
字和位同时扩展(重点)
2.CPU和存储器的连接(重难点)
(1).地址线的连接
(2).数据线的连接
(3).读写命令控制线
(4).片选线的连接
(5).合理选择存储芯片
(6).其他因素 时序、负载
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