从本篇开始会写一些PA基础知识，欢迎大家一起交流。
后端设计和验证对工具依赖特别强，如果flow没有问题，保证输入数据没有问题，log没有问题，report里面的结果没有问题，基本上就没有问题了。输入数据作为第一步，正确性尤其重要。本篇主要介绍PA分析的输入数据（以Redhawk工具为例）。
一.Technology data
1.Apache Technology file
此文件提供有关工艺的技术信息，并指定每个金属层和通孔类型的参数。每个 IC 工艺都需要单独的technology file。指定了以下技术信息：
.lef 文件中每个金属层的名称
每个金属层的厚度、电阻率、电阻温度系数和 EM 的极限
通孔名称、每个过孔的电阻和通过 EM 的极限
引线键合（wire-bond）或倒装芯片(flip-chip)焊料凸点的电阻、电感和电容
介电层的厚度、高度和介电常数
衬底层的厚度和电阻率
此文件主要主要包含了金属层、介电层、通孔、bump、衬底的一些物理参数，用于IR相关参数计算。文件一般加密，用户唯一需要选择的是文件的corner，一般foundary厂会给推荐的corner.
二.Design data
2.DEF
DEF文件主要包括：标准单元，电源和地网络和其他电路元件的物理描述.
注意：在flatten跑的时候，block出的def需要加PG pin，否则block分析不到。在def中PG pin格式如下（可以通过block出的def去判断这个block是否加了PG pin，因为有的block owner有时不承认自己没加）：
3.SPEF
SPEF主要包含信号线的寄生信息，用于计算功耗。
注意：SPEF的corner的选择，一般foundary会提供参考的corner，有的foundary16nm以下工艺，IR和signal EM corner不一样。
4.STA file
STA file （ATE文件/TWF文件）包含instance的 minimum/maximum transition times、timing window和时钟信息。
注意：如果某些cell没有timing 信息（在迭代过程中，添加了cell，其他数据更新了，STA file没更新就会出现这种情况。为啥不更新STA file？因为之前做的一个项目这个文件要跑一周），IR分析的时候可能分析不到，尤其添加的是驱动比较大的cell时（fix那些难fix的时序问题添加的），IR风险就覆盖不到。
5.Pad file
如下图，第一列为电源或者地的编号，第二列和第三列为source 点的坐标，第四列为供电点的layer，第五列为供电net属性的说明，电源为POWER，地为GROUND.
注意：一般ploc文件应该为bump的坐标信息，但是在项目前期AP还没评估好的情况下或者block评估时，也可以把source点放在其他layer，间距参考bump的间距。
6.VCD
波形文件，包含了net 反转率信息，可以计算peak power.
注意：有时候peak power特别大，导致IR也很大，有可能是波形中有X态导致；波形的选取，一般选取maxpower 场景进行IR分析；波形的stripe path正确性很重要，否则分析不准确
7.CPA file
CPA主要包含了封装基本设计的寄生信息。
注意：IR Drop与封装（一） IR Drop与封装（二）
三.Library data
8.LEF
LEF文件主要是cells的物理描述，包括cell的形状及出 pin信息，可以理解为简略版的def。
注意：首先要读入tech.lef，然后再读入cell的lef.
9.LIB
LIB是Synopsys 格式的库文件，包含逻辑库单元的描述，包括功耗和时序信息，并用于功耗计算。
注意：LIB的corner的选择，一般foundary会提供参考的corner。
10.APL
APL文件包括准确的开关电流波形、输出状态相关的去耦电容（本征去电容），等效的功耗电路电阻（称为 ESR，有效串联电阻）、开关延迟和漏电流。
注意：包括电流和电容文件，corner的选择应和lib一致。
11.AVM
AVM文件内容为：mem在不同状态的电流大小。
注意：不是所有的工艺都会提供AVM文件，如果没有，mem电流则按照LIB来算；仔细在GUI界面看mem的状态，有时mem为黑色，可能是AVM文件有问题。
数据完整性对结果的准确性有很大影响，所以一定要保证数据完整性，Redhawk在跑完后，Explore界面会有Data Integrity界面，在这个界面会看到设计数据和库文件的数据完整性，在相应的报告中会有没有覆盖到的数据情况，要对每一项仔细检查，保证输入数据没有问题。
